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申请/专利权人：北京华大九天科技股份有限公司
申请日：2023-06-06
公开（公告）日：2023-11-07
公开（公告）号：CN117010321A
主分类号：G06F30/398
分类号：G06F30/398;H01L27/02
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2023.11.24#实质审查的生效;2023.11.07#公开
摘要：一种multi‑fingerMOS器件版图的EM和IR分析方法，包括以下步骤：获取原始版图信息；对栅极图层的几何图形进行矩形化处理；利用源极图层、漏极图层的几何图形过滤栅极图层的矩形；根据栅极图层图形的宽长比确定处理后MOS器件的方向；计算处理后MOS器件的宽度以及对应阵列的行数和列数，得到MOS器件阵列的坐标位置信息；删除原始的multi‑fingerMOS器件区域，根据所述MOS器件阵列的坐标位置信息生成新的MOS器件阵列；对含有新的MOS器件阵列的版图提取寄生参数信息；根据所述寄生参数信息，进行EM和IR分析，输出分析结果。本发明的方法极大简化了对multi‑fingerMOS器件版图做精确EM和IR分析的流程，无需人工修正版图，即可完成对multi‑fingerMOS器件版图的EM和IR的精确分析。
主权项：1.一种multi-fingerMOS器件版图的EM和IR分析方法，包括以下步骤：获取原始版图信息；对栅极图层的几何图形进行矩形化处理；利用源极图层、漏极图层的几何图形过滤栅极图层的矩形；根据栅极图层图形的宽长比确定处理后MOS器件的方向；计算处理后MOS器件的宽度以及对应阵列的行数和列数，得到MOS器件阵列的坐标位置信息；删除原始的multi-fingerMOS器件区域，根据所述MOS器件阵列的坐标位置信息生成新的MOS器件阵列；对含有所述新的MOS器件阵列的版图提取寄生参数信息；根据所述寄生参数信息，进行EM和IR分析，输出分析结果。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京华大九天科技股份有限公司 一种multi-finger MOS器件版图的EM和IR分析方法
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