申请/专利权人:上海华力集成电路制造有限公司
申请日:2024-03-08
公开(公告)日:2024-06-25
公开(公告)号:CN118246390A
主分类号:G06F30/392
分类号:G06F30/392;H01L27/02
优先权:
专利状态码:在审-公开
法律状态:2024.06.25#公开
摘要:本发明提供一种线图形、沟槽层版图的SRAF设计方法,获取目标图形,目标图形为线图形;设定SRAF的设计规则:SRAF的尺寸线宽为A,SRAF之间的距离为B,SRAF与目标图形之间的距离为C;设定A的最小设计值Amin和A的最大设计值Amax;设定B的最小设计值Bmin和B的最大设计值Bmax;根据SRAF的设计规则在距离目标图形不同位置添加SRAF;获取目标图形在不同设计参数的SRAF下的曝光结果,根据曝光结果获取其中较优SRAF的设计参数。本发明的方法能用于线图形沟槽层的SRAF尺寸大小和位置的优化,加快了后期OPC建模中SRAF的选择,不仅可评估SRAF的优化精确性,而且显著提升了先进工艺节点的OPC研发质量。
主权项:1.一种线图形、沟槽层版图的SRAF设计方法,其特征在于,包括:步骤一、获取目标图形,所述目标图形为线图形;步骤二、设定SRAF的设计规则:所述SRAF的尺寸线宽为A,所述SRAF之间的距离为B,所述SRAF与所述目标图形之间的距离为C;设定A的最小设计值Amin和A的最大设计值Amax;设定B的最小设计值Bmin和B的最大设计值Bmax;步骤三、根据所述SRAF的设计规则在距离所述目标图形不同位置添加所述SRAF;步骤四、获取所述目标图形在不同设计参数的所述SRAF下的曝光结果,根据所述曝光结果获取其中较优所述SRAF的设计参数。
全文数据:
权利要求:
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