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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日：2023-02-14
公开（公告）日：2023-05-30
公开（公告）号：CN116184773A
主分类号：G03F7/20
分类号：G03F7/20
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2023.06.16#实质审查的生效;2023.05.30#公开
摘要：本发明公开了一种SRAF的风险预测及优化方法，包括：步骤一、设计一系列的第一测试图形结构，包括第一密集图形区、间隔区和第二密集图形区，间隔区的宽度逐渐变化。步骤二、在各第一测试图形结构的间隔区中插入SRAF并进行OPC修正。步骤三、利用OPC结果检查程序仿真各第一测试图形结构的仿真轮廓图。步骤四、进行风险判断，包括：如果仿真轮廓图中不包括SRAF的轮廓图形，则验证结果为安全。如果仿真轮廓图中包括SRAF的轮廓图形，则验证结果为不安全，并转到步骤五；步骤五、对参数不安全的SRAF的参数进行优化，之后转到步骤二。本发明能提前对SRAF在各种环境下的参数安全性进行准确验证并实现对不安全的SRAF的参数进行优化，能确保在产品版图中插入SRAF的安全性。
主权项：1.一种SRAF的风险预测及优化方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、设计一系列的第一测试图形结构，各所述第一测试图形结构包括第一密集图形区、间隔区和第二密集图形区，所述第一密集图形区和所述第二密集图形区中设置有密集图形，各所述第一测试图形结构的所述间隔区的宽度逐渐变化；一系列的所述第一测试图形结构用于模拟SRAF所插入的不同环境，所述密集图形用于在不同环境下加强对所述SRAF的光学影响；步骤二、在各所述第一测试图形结构的所述间隔区中插入SRAF并对插入所述SRAF后各所述第一测试图形结构进行OPC修正；步骤三、利用OPC结果检查程序仿真各所述第一测试图形结构的仿真轮廓图；步骤四、进行风险判断，包括：如果所述仿真轮廓图中不包括所述SRAF的轮廓图形，则验证结果为所述SRAF的各参数安全；如果所述仿真轮廓图中包括所述SRAF的轮廓图形，则所述验证结果为所述SRAF的各参数不安全，并转到步骤五；步骤五、对参数不安全的所述SRAF的参数进行优化，之后转到步骤二，之后重复步骤二至步骤四或者步骤二至步骤五，直至各所述SRAF的各参数安全。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 SRAF的风险预测及优化方法
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