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申请/专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日：2023-06-20
公开（公告）日：2023-09-19
公开（公告）号：CN116779718A
主分类号：H01L31/18
分类号：H01L31/18;H01L31/0224
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2023.10.10#实质审查的生效;2023.09.19#公开
摘要：本发明提供了一种无额外遮光和对位问题的Polyfinger制备方法，本发明方法包括在制备好的多晶硅层上对应Polyfinger的区域涂覆接触材料后刻蚀形成的Polyfinger结构。采用本发明方法制备的Polyfinger区域与接触区域宽度一致，不会存在额外寄生吸收导致的遮光问题，改善了电池的电流，同时Polyfinger与接触图形无需进行对位，即不存在对位异常风险，规避了对位异常导致的额外金属复合和电流损失，改善了电池的效率和良率。
主权项：1.一种无额外遮光和对位问题的Polyfinger制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：S1、多晶硅制备：在经过处理的硅片表面制备整面掺杂多晶硅层；S2、接触区形成：在制备好的多晶硅层上对应Polyfinger的区域涂覆接触材料，形成接触区；S3、刻蚀：采用刻蚀液去除表面Polyfinger区域以外的多晶硅层，留下Polyfinger区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 常州时创能源股份有限公司 一种无额外遮光和对位问题的Poly finger制备方法
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