申请/专利权人：南昌航空大学

申请日：2024-01-18

公开（公告）日：2024-05-24

公开（公告）号：CN118073462A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L31/0368;H01L31/04

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.06.11#实质审查的生效;2024.05.24#公开

摘要：本发明公开了一种连续离化硅烷及多次生长退火制备poly‑Si薄膜的新工艺，该工艺使用了连续离化硅烷技术、多次生长‑退火‑形核及激光快速退火技术制备poly‑Si薄膜，首先使用等离子体多次轰击硅烷分子，通过控制脉冲频率和占空比，获得离化的硅烷混合物，再调节离化的硅烷混合物的组分和组成，以离化的硅烷混合物为气源，进入热裂解反应室，开始在TOPCon及TBC太阳电池隧穿层表面沉积poly‑Si薄膜，然后进行高温退火处理后,等离子体轰击氧气或氨气分子，通过控制脉冲频率和占空比，获得离化的化氧气或氨气混合物，将新沉积的poly‑Si薄膜表面氧化或氮化，以SiOx或Si3N4‑x量子点为形核中心诱导poly‑Si薄膜定向生长，从而提高poly‑Si薄膜结晶质量和硅基太阳电池的光电转换效率。

主权项：1.一种连续离化硅烷及多次生长退火制备poly-Si薄膜的新工艺，其特征在于：该工艺使用了连续离化硅烷技术、多次生长-退火-形核及激光快速退火技术制备poly-Si薄膜，首先使用等离子体多次轰击硅烷分子，通过控制脉冲频率和占空比，获得离化的硅烷混合物，再调节离化的硅烷混合物的组分和组成，以离化的硅烷混合物为气源，进入热裂解反应室，开始在TOPCon及TBC太阳电池隧穿层表面沉积poly-Si薄膜，然后进行高温退火处理和表面氧化或氮化，提高poly-Si薄膜结晶质量，从而提高硅基太阳电池的光电转换效率，该工艺的具体步骤如下：1使用脉冲等离子体多次将硅烷进行离化，通过控制脉冲频率和占空比调节硅烷离化程度，得到所需离化的硅烷混合物的组分；2使用生长-高温退火技术，离化的硅烷混合物经过热裂解，开始在TOPCon及TBC太阳电池隧穿层表面沉积poly-Si薄膜，当沉积poly-Si薄膜厚度到达10-20nm后，停止通入硅烷气体和载气，新沉积的poly-Si薄膜进行高温退火处理，提高poly-Si薄膜结晶质量；3使用量子点诱导晶体生长技术，对退火后的沉积poly-Si薄膜进行氧化或氮化处理，形成SiOx或Si3N4-x量子点，以SiOx或Si3N4-x量子点为形核中心诱导poly-Si薄膜定向生长，当沉积poly-Si薄膜厚度到达10-20nm后，停止通入硅烷气体，继续将poly-Si薄膜进行高温退火处理；4按照步骤2、步骤3方法的重复3-5次，将得到厚度为50-80nm的poly-Si薄膜，poly-Si薄膜沉积结束，最后采用激光快速退火，修复poly-Si薄膜的表面平整度并且提高poly-Si薄膜表面结晶质量。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南昌航空大学 连续离化硅烷及多次生长退火制备poly-Si薄膜的新工艺

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