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申请/专利权人：润马光能科技(金华)有限公司
申请日：2024-01-22
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118198180A
主分类号：H01L31/18
分类号：H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/068
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本发明公开了一种高良率Polyfinger结构电池的制备方法及电池，制备方法包括采用如下步骤制备电池的正面结构：S1：在基底正面制备绒面结构；S2：形成P+层；S3：形成正面隧穿氧化层及正面本征非晶硅层；S4：在正面本征非晶硅层中进行硼掺杂并进行退火；S5：利用激光对非finger区进行激光改性；S6：进行正面腐蚀清洗，使得仅finger区留有正面隧穿氧化层及P‑poly层，形成Polyfinger结构；S7：正面制备正面钝化层；S8：正面金属化形成正面金属栅线；P‑poly层宽度为正面金属栅线宽度的1.2～1.8倍。本发明可精确控制polyfinger范围及印刷对位问题，提高电池良率。
主权项：1.一种高良率Polyfinger结构电池的制备方法，其特征在于：包括采用如下步骤制备电池的正面结构：S1：在基底1正面制备绒面结构；S2：在基底1正面进行表面掺杂形成P+层2；S3：在P+层2上，利用LPCVD沉积形成正面隧穿氧化层5及正面本征非晶硅层，正面隧穿氧化层5提供隧穿效应实现多子的传输；S4：在正面本征非晶硅层中进行硼掺杂并进行退火将非晶硅转化成多晶硅或者微晶硅；S5：利用激光对非finger区进行激光改性；S6：进行正面腐蚀清洗，使得仅finger区留有正面隧穿氧化层5及P-Poly层6，形成Polyfinger结构；S7：正面制备正面钝化层；S8：正面金属化形成正面金属栅线收集电流；正面金属栅线位于P-Poly层6处；所述P-Poly层6宽度为正面金属栅线宽度的1.2～1.8倍。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 润马光能科技(金华)有限公司 高良率Poly finger结构电池的制备方法及电池
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