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申请/专利权人：山东大学
申请日：2022-05-16
公开（公告）日：2022-11-25
公开（公告）号：CN115394842A
主分类号：H01L29/423
分类号：H01L29/423;H01L21/335;H01L29/778;H01L21/28
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2022.12.13#实质审查的生效;2022.11.25#公开
摘要：本发明涉及一种高功率增益截止频率的InAlNGaNHEMT及其制备方法，InAlNGaNHEMT包括Si衬底、GaN缓冲层、InGaN背势垒层、GaN沟道层、AlN插入层、InAlN势垒层和GaN帽层；GaN帽层上设置有源极、双栅根型栅极和漏极，且双栅根型栅极位于源极和漏极的中间，双栅根型栅极包括两个栅根和一个栅帽，两个栅根平行设置在栅帽的下方，且栅根设置在GaN帽层上。本申请提供的双栅根型栅结构可以支撑更大的栅帽，增大栅极面积，降低器件的栅电阻，提高InAlNGaNHEMT的开关电流比，抑制漏致势垒降低效应，提高功率增益截止频率。
主权项：1.一种高功率增益截止频率的InAlNGaNHEMT，其特征在于，包括自下而上依次设置的Si衬底、GaN缓冲层、InGaN背势垒层、GaN沟道层、AlN插入层、InAlN势垒层和GaN帽层；GaN帽层上设置有源极、双栅根型栅极和漏极，且双栅根型栅极位于源极和漏极的中间，所述双栅根型栅极包括两个栅根和一个栅帽，两个栅根平行设置在栅帽的下方，且栅根设置在GaN帽层上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东大学 一种高功率增益截止频率的InAlN/GaN HEMT及其制备方法
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