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一种均衡杂感的功率模块 

申请/专利权人:臻驱科技(上海)有限公司

申请日:2022-12-09

公开(公告)日:2023-03-03

公开(公告)号:CN115732476A

主分类号:H01L23/538

分类号:H01L23/538;H02M1/00;H02M1/32;H01L25/00;H01L23/64

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.03.21#实质审查的生效;2023.03.03#公开

摘要:本发明提供了一种均衡杂感的功率模块,包括衬底和设于衬底上的若干个铜箔;第三铜箔设于第一铜箔与第二铜箔之间;电子元器件设于第一铜箔远离第二铜箔的一侧、或设于第二铜箔远离第一铜箔的一侧;芯片包括第一半桥芯片组和第二半桥芯片组;第一半桥芯片组设于第一铜箔和第二铜箔上,第二半桥芯片组设于第三铜箔上;还包括第四铜箔,设于第三铜箔的中空区域内;第四铜箔的边缘不与中空区域的边缘接触,从而使得第四铜箔与第三铜箔电隔离;通过互联导体将第一铜箔和第二铜箔经由第四铜箔在靠近芯片处电连接,有效均衡各芯片的换流回路杂散电感;通过更均衡的瞬态均流,扩大模块运行的安全工作区。

主权项:1.一种均衡杂感的功率模块,其特征在于,包括衬底和设于所述衬底上的若干个铜箔;所述铜箔包括第一铜箔、第二铜箔,和第三铜箔,所述第三铜箔设于所述第一铜箔与所述第二铜箔之间;还包括电子元器件,所述电子元器件设于所述第一铜箔远离所述所述第二铜箔的一侧、或设于所述第二铜箔远离所述所述第一铜箔的一侧;还包括芯片,所述芯片包括第一半桥芯片组和第二半桥芯片组;所述第一半桥芯片组设于所述第一铜箔和第二铜箔上,所述第二半桥芯片组设于所述第三铜箔上;所述第一铜箔与所述第二铜箔之间设有互联导体以联通所述第一铜箔与所述第二铜箔,所述互联导体越过所述第三铜箔设置。

全文数据:

权利要求:

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