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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
摘要：本发明公开了一种控制InSb晶体生长的方法，本发明通过获取InSb晶体生长过程中各个阶段的固液界面形状图，通过所述固液界面形状图表征InSb晶体任意生长阶段固液界面的形状和变化，然后根据所述固液界面形状图训练得到固液界面模型，再基于所述固液界面模型调整生长过程中InSb晶体的固液界面形状，来提升InSb晶体径向电学参数均匀性，最终获得高质量的InSb晶体，使得InSb晶片能够适用于大规模FPA阵列。
主权项：1.一种控制InSb晶体生长的方法，其特征在于，包括：获取InSb晶体生长过程中各个阶段的固液界面形状图，通过所述固液界面形状图表征InSb晶体任意生长阶段固液界面的形状和变化；根据所述固液界面形状图训练得到固液界面模型，并基于所述固液界面模型调整生长过程中InSb晶体的固液界面形状，以提升InSb晶体径向电学参数均匀性，最终获得高质量的InSb晶体。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第十一研究所 一种控制InSb晶体生长的方法
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