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申请/专利权人：上海亥芯电子科技有限公司
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，具体公开了一种PowerMOSFET和MOSFETdriver结合的IC封装，包括Multi‑diesIC，所述Multi‑diesIC上封装DriverIC晶粒和PowerMOSFET晶粒；本实用新型中把两种功能的晶粒在封装中做合并，就可以用一个IC的空间来做本来两个IC的功能，进而节省了系统板的面积。
主权项：1.一种PowerMOSFET和MOSFETdriver结合的IC封装，包括Multi-diesIC（200），其特征在于：所述Multi-diesIC（200）上封装DriverIC晶粒（300）和PowerMOSFET晶粒（400）。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海亥芯电子科技有限公司 一种Power MOSFET和MOSFET driver结合的IC封装
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