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申请/专利权人：拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
摘要：本申请提供一种反应腔室的进气结构和HDP机台的反应腔室，涉及半导体设备技术领域，包括：进气部件，进气部件上分别设置有用于向反应腔室通入第一气体的第一气道，以及用于向反应腔室通入第二气体的第二气道，第一气道和第二气道分别和反应腔室连通，第一气道用于使第一气体一次匀气后均匀进入反应腔室。应用于HDP机台的反应腔清洗操作时，第一气体通过第一气道均匀地进入反应腔室，提高了第一气体在反应腔室内的均匀性，进而改善了第一气体在晶圆上的膜厚分布，使得晶圆具有更均匀的膜厚；同时由于均匀进气，缩短了清洗操作的时长，提高整个HDP机台的产能。
主权项：1.一种反应腔室的进气结构，其特征在于，包括：进气部件10，所述进气部件10上分别设置有用于向反应腔室通入第一气体的第一气道11，以及用于向所述反应腔室通入第二气体的第二气道12，所述第一气道11和所述第二气道12分别和所述反应腔室连通，所述第一气道11用于使所述第一气体一次匀气后均匀进入所述反应腔室。
全文数据：
权利要求：
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