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一种改善MLO C4-PAD电镀dimple的方法 

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申请/专利权人:圆周率半导体(南通)有限公司

摘要:本发明公开了一种改善MLOC4‑PAD电镀dimple的方法,方法包括:电流控制服务器发送电流智能管理信号至电镀电流监控传感器;所述电镀电流监控传感器接收到电流智能管理信号后,多种数据采集传感器采集各单位时间电镀的不同盲孔孔径要求和厚径比数据、各单位时间电镀所处电流强度数据,并将采集到的数据存储并发送至所述电流控制服务器;所述电流控制服务器判断所述不同盲孔孔径要求和厚径比数据、电流强度数据是否在预设的电镀有效范围内;并通过电流修正模块反馈至电镀电流监控点校准管理模型。本发明通过针对不同盲孔孔径对应不同电流强度参数结合两段式电镀的方式,有效解决电镀dimple的问题,C4‑PAD成品dimple可以达到2um以内。

主权项:1.一种改善MLOC4-PAD电镀dimple的方法,其特征在于,包括:电流控制服务器发送电流智能管理信号至电镀电流监控传感器;所述电镀电流监控传感器接收到电流智能管理信号后,多种数据采集传感器采集各单位时间电镀的不同盲孔孔径要求和厚径比数据、各单位时间电镀所处电流强度数据,并将采集到的数据存储并发送至所述电流控制服务器;所述电流控制服务器判断所述不同盲孔孔径要求和厚径比数据、电流强度数据是否在预设的电镀有效范围内;若所述不同盲孔孔径要求和厚径比数据、电流强度数据不在预设的电镀有效范围内,则生成电镀电流待优化提示信号,并通过电流修正模块反馈至电镀电流监控点校准管理模型;所述电镀采用两段式的电流密度的方式,第一段为爆发填孔期,第二段为平整修复期,影响电镀dimple是电流强度,影响铜厚的为电镀时间。

全文数据:

权利要求:

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