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申请/专利权人：云南鑫耀半导体材料有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司;云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
摘要：磷化铟单晶回料采用VGF或VB法再次生长单晶的装料方法，单晶生长所使用的原料全部为单晶生长过程产生的回料。本发明通过控制磷化铟单晶回料的参数要求、合理分配磷化铟单晶回料的装料配比和不同尺寸料块的装料位置，以及红磷、掺杂剂和液封剂的用量及放置位置，有助于多晶原料的快速熔化、掺杂剂的均匀分布、液封剂的有效侵润和红磷的蒸气压控制。该装料方法有效利用单晶生长回料，提高原料利用率，大幅减少废料的产生，降低了生产成本，并能提高使用单晶回料所生长的磷化铟单晶的电阻率、载流子浓度、电子迁移率的径向均匀性。
主权项：1.磷化铟单晶回料采用VGF或VB法再次生长单晶的装料方法，所需装入坩埚的物料包括磷化铟单晶回料、籽晶、液封剂和红磷，其特征在于装料方法是：装入物料，由下至上依次为籽晶堵头、籽晶、第一锥形料、第二锥形料、第三锥形料、第一弓形回料、第二弓形回料、第三弓形回料、第四弓形回料、第五回料、尾料；红磷和液封剂放置于第一弓形回料和第二弓形回料之间；所述第一锥形料的直径为坩埚直径的50%，第二锥形料的直径为坩埚直径的75%，第三锥形料的直径为坩埚内径，第一弓形回料和第二弓形回料是用圆柱形回料沿垂直于直径310处弦切而获得的小弓形；第三弓形回料和第四弓形回料是用圆柱形回料沿垂直于直径310处弦切而获得的大弓形；第五回料为圆柱形饼料，沿垂直于直径25处的弦切割为两部分，厚度为坩埚等径高度的25%-28%，尾料使用生长单晶后切下的尾盖料，直径等于坩埚内径，厚度为坩埚等径直径的9%-10%；所述液封剂用量为装料量的1%-2%；红磷的用量根据理想气体状态方程计算。
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百度查询： 云南鑫耀半导体材料有限公司 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 磷化铟单晶回料采用VGF或VB法再次生长单晶的装料方法
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