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申请/专利权人：希尔纳公司
摘要：一种硅基调制器包括：波导芯1，其为PN结区域12；第一过渡区域2，其是在横向方向上与波导芯1相邻的P侧区域16；第二过渡区域2，其是在横向方向上与波导芯1相邻的并且与第一过渡区域2位于相反侧上的N侧区域16；与第一过渡区域2相邻的第一电接触区域3；以及与第二过渡区域2相邻的第二电接触区域3，其中，第一过渡区域和第二过渡区域中的至少一个沿纵向方向具有掺杂浓度的变化。
主权项：1.一种硅基调制器10，包括：波导芯1，其是PN结区域12；第一过渡区域，其是在横向方向上与所述波导芯1相邻的P侧区域16；第二过渡区域，其是在横向方向上与所述波导芯1相邻并且与所述第一过渡区域位于相对侧上的N侧区域16；第一电接触区域，其与所述第一过渡区域相邻；以及第二电接触区域，其与所述第二过渡区域相邻，其中，所述第一过渡区域和第二过渡区域中的至少一个具有沿平行于光传播方向的纵向方向的掺杂浓度的变化。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 希尔纳公司 具有优化的掺杂分布和不同过渡区域厚度的硅基调制器
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