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一种离子囚禁装置及离子阱系统 

申请/专利权人:华为技术有限公司;中国科学技术大学

申请日:2022-09-01

公开(公告)日:2024-03-08

公开(公告)号:CN117672590A

主分类号:G21K1/087

分类号:G21K1/087;G06N10/40

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.03.26#实质审查的生效;2024.03.08#公开

摘要:一种离子囚禁装置及离子阱系统,用于解决现有技术中需要的射频电场的强度较大时需要额外引入谐振腔来产生大的射频电压的问题。可应用于量子计算或量子模拟等领域。离子囚禁装置包括N个相向设置的第一电极,N为大于2的整数,N个第一电极沿轴向不同位置的电极间距不同,电极间距为第一电极与N个第一电极的中心轴之间的距离,轴向为第一电极的延伸方向,中心轴平行于轴向。由于沿轴向的电极间距不同,可以提高η值,又由于射频电场的强度正比于因子krf,krf正比于η,因此,提高η值可以在较小的射频电压下产生的射频电场的强度较大。进一步,沿轴向的电极间距不同还可以对囚禁的离子形成一定的轴向束缚,有助于降低对直流电极的需求。

主权项:1.一种离子囚禁装置,其特征在于,包括N个相向设置的第一电极,所述N为大于2的整数;所述N个第一电极沿轴向不同位置的电极间距不同,所述电极间距为第一电极与所述N个第一电极的中心轴之间的距离,所述轴向为所述第一电极的延伸方向,所述中心轴平行于所述轴向。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 华为技术有限公司;中国科学技术大学 一种离子囚禁装置及离子阱系统

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