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基于源场板的单片异质集成Cascode结构场效应晶体管及制作方法 

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申请/专利权人:西安电子科技大学

摘要:本发明公开了一种基于源场板的单片异质集成Cascode结构场效应晶体管,主要解决现有Cascode结构场效应晶体管击穿特性较差的问题。其包括:衬底1、GaN缓冲层2、AlGaN势垒层3和SiN隔离层4,SiN隔离层中间刻有隔离槽17;隔离槽的一侧印制有Si有源层5,以制备Si金属氧化物半导体场效应晶体管;隔离槽的另一侧横向依次设有第二源电极6、第二栅电极7和第二漏电极8,该源漏电极之间区域上设有钝化层16,该钝化层和第二源电极上淀积有源场板9,形成GaN高电子迁移率晶体管。本发明具有显著的击穿特性,可用作汽车、航空航天和发电站的电源转换器或反相器。

主权项:1.一种基于源场板的单片异质集成的Cascode结构场效应晶体管的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:1)制备SiNAlGaNGaN衬底基片:采用金属有机物化学气相淀积和原子层沉积工艺,在衬底上依次外延GaN缓冲层和AlGaN势垒层;再在AlGaN势垒层上淀积SiN隔离层,得到SiNAlGaNGaN衬底基片;2)采用光刻与反应离子刻蚀工艺,在SOI晶片上形成单晶硅薄膜孤岛;3)采用湿法刻蚀工艺,将2)得到的样品放入49%HF溶液中,刻蚀掉未被单晶硅薄膜孤岛覆盖的埋氧化层;4)采用光刻工艺,在单晶硅薄膜边缘制作锚点,以防止后续完全刻蚀埋氧化层后单晶硅薄膜的位移和脱落;5)采用湿法刻蚀工艺,将制有锚点的样品放入49%HF溶液中,完全刻蚀埋氧化层,使单晶硅薄膜掉落在SOI晶片的基底上;6)采用转移印刷技术,将5)得到的单晶硅薄膜转印到SiNAlGaNGaN衬底基片上;7)采用光刻与反应离子刻蚀工艺,在6)得到的样品上刻蚀300-350nm深的隔离槽,在隔离槽的两侧分别形成SiSiNAlGaNGaN孤岛和SiNAlGaNGaN孤岛;8)采用离子注入工艺,在SiSiNAlGaNGaN孤岛的单晶硅薄膜上注入剂量为5×1015cm−2,能量为30keV的磷离子,并在1000◦C的氮气氛围下退火60s,以激活杂质,形成N型重掺杂的源漏区;9)采用反应离子刻蚀和电子束蒸发工艺,将SiNAlGaNGaN孤岛上源区和漏区的SiN刻蚀掉,再在此源区和漏区上沉积金属叠层,形成GaN高电子迁移率晶体管的源电极和漏电极,并在温度为875℃的氮气氛围下退火30s,使得源电极和漏电极与AlGaN势垒层形成欧姆接触;10)采用反应离子刻蚀与电子束蒸发工艺,将SiNAlGaNGaN孤岛上栅区的SiN刻蚀掉,再在此栅区上依次淀积45-70nm厚的镍金属和100-200nm厚的金金属,形成GaN高电子迁移率晶体管的栅电极;11)采用原子层沉积工艺,在300℃温度条件与氮气氛围下,在整个样品上沉积20-30nm厚的氧化物薄膜,形成Si金属氧化物半导体场效应晶体管的栅介质层和GaN高电子迁移率晶体管的钝化层;12)采用磁控溅射工艺,在未掺杂的单晶硅薄膜上方的氧化物薄膜上溅射100-200nm厚的氮化钽,形成Si金属氧化物半导体场效应晶体管的栅电极;13)采用湿法刻蚀与电子束蒸发工艺,将单晶硅薄膜源漏区上的氧化物薄膜刻蚀掉,并淀积30-100nm厚的镍金属,形成Si金属氧化物半导体场效应晶体管的源漏电极,并在温度为400℃的氮气氛围下退火1min,使得源漏电极与重掺源漏区形成欧姆接触;14)采用湿法刻蚀工艺,使用浓度为5%的HF溶液将覆盖在GaN高电子迁移率晶体管源漏电极上的氧化物薄膜全部刻蚀掉,并部分刻蚀覆盖在栅电极上的氧化物薄膜,以使GaN电子迁移率晶体管的栅源漏电极裸露在外面;15)制作源场板和金属互连:15a采用光刻与电子束蒸发与工艺,在14)所得的器件表面制作光刻胶掩模,光刻胶掩模在GaN高电子迁移率晶体管的源电极和钝化层上方形成有效长度为2.5-3.5μm的源场板图形,在两器件之间形成金属互连图形;15b在光刻胶掩模上淀积一层200-300nm厚的金属薄膜,再使用有机溶剂将多余金属剥离,以使GaN高电子迁移率晶体管的源电极与金属薄膜直接相连形成源场板,同时分别在Si器件的漏电极与GaN器件的源电极之间、Si器件的源电极与GaN器件的栅电极之间形成金属互连,完成整个器件的制作。

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