龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：北京大学
摘要：本发明提出了一种基于反铁电栅介质与氧化物半导体沟道的FeFET及其制备方法，属于微纳电子学领域。该FeFET器件包括一绝缘衬底，绝缘衬底上是图形化的背栅电极层，背栅电极层上是反铁电栅介质材料层，反铁电栅介质层上是氧化物半导体材料层作为沟道，沟道上方的左右两侧分别是源和漏接触电极，背栅电极层和氧化物半导体材料层的功函数差为1eV～2eV之间，为反铁电栅介质材料层提供一内建电场，反铁电栅介质材料形成两种不同的存储状态。本发明利用反铁电栅介质替换传统铁电栅介质，且采用氧化物半导体沟道替换传统硅基沟道，从而提高存储器件的耐久特性。
主权项：1.一种FeFET器件，其特征在于，包括一绝缘衬底，绝缘衬底上是图形化的背栅电极层，背栅电极层上是反铁电栅介质材料层，反铁电栅介质材料层上是氧化物半导体材料层，反铁电栅介质材料和氧化物半导体沟道均为氧化物，两者之间形成无界面层的界面，氧化物半导体材料层作为沟道，氧化物半导体沟道上方的左右两侧分别是源和漏接触电极，背栅电极层和氧化物半导体材料层的功函数差为1eV～2eV之间，为反铁电栅介质材料层提供一内建电场，反铁电栅介质材料形成两种不同的存储状态，其中，所述绝缘衬底选自二氧化硅、氮化硼覆盖的硅片或云母，绝缘衬底的厚度大于50nm，所述反铁电栅介质材料层选用ZrO2、Zr:HfO2、Al:HfO2或Si:HfO2，反铁电栅介质材料层的厚度范围为5nm～15nm，所述背栅电极层选自Pt、Se、Mg、Sc、TiN或W，背栅电极层的厚度范围为10nm～20nm，所述氧化物半导体材料层选自IGZO、IWO、ITO或ZnO2，氧化物半导体材料层厚度为5nm～20nm，所述源、漏接触电极选用Al、Ti、Sc、Cr、Pt、Pd或Au，源、漏接触电极的厚度为50nm左右。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京大学 基于反铁电栅介质与氧化物半导体沟道的FeFET及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号