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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日：2022-09-30
公开（公告）日：2024-04-26
公开（公告）号：CN115506011B
主分类号：C30B25/02
分类号：C30B25/02;C30B28/14;C30B29/06
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.04.26#授权;2023.01.10#实质审查的生效;2022.12.23#公开
摘要：本发明公开了一种改善立式LPCVD设备镀膜效果的方法，该方法是在利用立式LPCVD设备沉积晶硅薄膜的过程中依次对立式LPCVD设备进行真空捡漏、工艺压强控制、工艺气流场调控、薄膜沉积、工艺管道升压吹扫，通过增加工艺气流场调控环节，改善立式LPCVD设备的薄膜沉积的工艺效果，不仅可以改善立式LPCVD设备的沉积薄膜厚度的均匀性及重复稳定性，也可以改善薄膜沉积工艺的颗粒度。因此，本发明方法，能够最大限度的弥补国产立式LPCVD设备自身硬件条件的不足，并使得沉积的晶硅薄膜厚度均匀性、重复稳定性和工艺颗粒度满足用户要求，对于推广国产设备产业化应用具有重要意义。
主权项：1.一种改善立式LPCVD设备镀膜效果的方法，其特征在于，所述方法是在利用立式LPCVD设备沉积晶硅薄膜的过程中依次对立式LPCVD设备进行以下处理：（1）真空捡漏：检查工艺管是否漏气；（2）工艺压强控制：漏率检测合格后，通入氮气吹扫气路管道，使工艺管的压强和气体流量稳定在薄膜沉淀时设定的压强和气体流量条件下；（3）工艺气流场调控：以薄膜沉淀时设定的压强值和气体流量值为基准，上下浮动调节工艺管的压强和氮气流量，重复上下浮动调节的操作至少3次，上下浮动调节工艺管的压强和氮气流量时，压强上下浮动的调节范围为10Pa～80Pa，气体流量上下浮动的调节范围为100sccm～2000sccm；（4）薄膜沉积：在设定的压强条件下，通入反应气源，在半导体衬底表面沉积薄膜；（5）工艺管道升压吹扫：完成薄膜淀积后，通入氮气吹扫工艺管及排气管道，使工艺管的压强和气体流量稳定在薄膜沉淀时设定的压强和气体流量条件下，以薄膜沉淀时设定的压强值和气体流量值为基准，上下浮动调节工艺管的压强和氮气流量，重复上下浮动调节的操作至少3次，上下浮动调节工艺管的压强和氮气流量时，压强上下浮动的调节范围为10Pa～80Pa，气体流量上下浮动的调节范围为100sccm～2000sccm，调节压强为常压，出舟。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种改善立式LPCVD设备镀膜效果的方法
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