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申请/专利权人：宜宾英发德耀科技有限公司
摘要：本发明公开了一种TOPCon太阳能电池的LPCVD工艺，属于光伏电池生产领域，具体步骤为：步骤一：选择N型硅片作为衬底材料，并利用清洗制绒技术，在其表面形成金字塔状绒面结构；步骤二：对硅片的正面进行硼扩散，形成P‑N结，实现光能向电能转化；步骤三：采用BSG刻蚀技术对硅片进行刻蚀，并进行背面抛光；步骤四：利用优化的LPCVD工艺，在硅片背面沉积一层高质量隧穿氧化层；步骤五：在隧穿氧化层上形成一层非晶硅和少量多晶硅的混合层，作为电池的背电极。步骤六：对背面非晶硅和少量多晶硅的混合层进行磷扩散，使掺杂后的非晶硅和少量多晶硅的混合层与隧穿氧化层形成TOPCon结构，进一步提升电池性能。
主权项：1.一种TOPCon太阳能电池的LPCVD工艺，其特征在于步骤包括：步骤一：选择N型硅片作为衬底材料，并利用清洗制绒技术，在其表面形成金字塔状绒面结构，以增加光吸收效率；步骤二：对硅片的正面进行硼扩散，形成P-N结，实现光能向电能转化；步骤三：采用BSG刻蚀技术对硅片进行刻蚀，并进行背面抛光，以减少背面的复合损失，提高开路电压；步骤四：利用优化的LPCVD工艺，在硅片背面沉积一层高质量隧穿氧化层；步骤五：在隧穿氧化层上形成一层非晶硅和少量多晶硅的混合层，作为电池的背电极；步骤六：对背面非晶硅和少量多晶硅的混合层进行磷扩散，使掺杂后的非晶硅和少量多晶硅的混合层与隧穿氧化层形成TOPCon结构，进一步提升电池性能。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 宜宾英发德耀科技有限公司 一种TOPCon太阳能电池的LPCVD工艺
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