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申请/专利权人：江苏师范大学
申请日：2021-03-30
公开（公告）日：2024-05-03
公开（公告）号：CN113223936B
主分类号：H01L21/027
分类号：H01L21/027;H01L21/3065
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.03#授权;2021.08.24#实质审查的生效;2021.08.06#公开
摘要：一种InP基纳米周期结构的制备方法，包括：在硅基InP衬底上涂覆电子束胶，将涂覆电子束胶的晶片放在烘箱内进行前烘，利用版图设计工具按照理论曝光线条宽度减小一定倍数设计掩模图形，采用上述掩模图形对衬底进行电子束曝光和显影，利用感应耦合等离子体技术在甲烷和氢气混合气氛中刻蚀InP，利用湿法清洗去掉残胶后，得到目标线宽的InP纳米周期结构。本发明通过收缩掩模图形和降低刻蚀沉积两个步骤的协同耦合效应，既能抵消曝光过程中电子的邻近效应，提高电子束曝光均匀度，又可以减少等离子体刻蚀反应中的沉积物平铺堆积，改善纳米结构的边缘形貌，从而得到目标线宽的纳米周期结构。
主权项：1.一种InP基纳米周期结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：在硅基InP衬底上涂覆电子束胶；步骤二：将涂覆电子束胶的晶片放在烘箱内进行前烘；步骤三：利用版图设计工具按照理论曝光线条宽度减小理论曝光线条宽度的0.1-0.3倍设计掩模图形；其中，理论曝光线条宽度是指按照指定占宽比根据公式[周期×1-占宽比]计算得到的曝光线条宽度；步骤四：采用上述掩模图形对衬底进行电子束曝光和显影；步骤五：利用感应耦合等离子体技术在体积比为1:4的甲烷和氢气混合气氛中刻蚀InP；步骤六：利用湿法清洗去掉残胶后，得到目标线宽的InP纳米周期结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏师范大学 一种InP基纳米周期结构的制备方法
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