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申请/专利权人：合肥工业大学智能制造技术研究院
申请日：2024-03-15
公开（公告）日：2024-05-10
公开（公告）号：CN118016123A
主分类号：G11C11/413
分类号：G11C11/413;G11C11/416
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.28#实质审查的生效;2024.05.10#公开
摘要：本发明涉及集成电路电路领域，公开了一种基于10TSRAM单元的存内计算和CAM电路。本发明中，本发明公开了一种新型的10TSRAM，和基于10TSRAM的存内运算和CAM电路。10TSRAM具有行和列访问晶体管，支持跨行和列的写操作。所提出的SRAM具有水平和垂直的读取端口，利用双向的读取端口可以实现双向的逻辑操作、搜索操作和矩阵转置，显著提高了计算的灵活性。读写端口的分离解决了多行激活时的读干扰问题，提高了单元的抗干扰能力。此外，外围的计算外设支持阵列进行加法、乘法等复杂的算数运算。
主权项：1.一种基于10TSRAM单元的存内计算和CAM电路，包括一个4TSRAM组成的存储部分、2个NMOS晶体管组成的行写入部分、2个NMOS晶体管组成的列写入部分和2个NMOS晶体管组成的计算部分，其特征在于所述的一个4TSRAM，包括NMOS晶体管N3、NMOS晶体管N4、PMOS晶体管P1、PMOS晶体管P2；所述的2个NMOS组成的行写入部分，包括NMOS晶体管N1、NMOS晶体管N2；所述的2个NMOS组成的列写入部分，包括NMOS晶体管N7、NMOS晶体管N8；所述的2个NMOS组成的计算部分，包括NMOS晶体管N5、NMOS晶体管N6。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥工业大学智能制造技术研究院 一种基于10T SRAM单元的存内计算和CAM电路
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