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申请/专利权人：清华大学
申请日：2024-01-12
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118047617A
主分类号：C04B35/587
分类号：C04B35/587;C04B35/593;C04B35/622;C04B35/645
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本发明提供了氮化硅陶瓷及其制备方法。该方法包括：提供原料，原料包括第一氮化硅粉体、第二氮化硅粉体、烧结助剂和分散剂，第一氮化硅粉体和第二氮化硅粉体的体积平均粒径Dv50的比例为5‑100:1；将原料混合后进行球磨，然后进行干燥，得到待烧料；将待烧料进行烧结，烧结压力为25MPa‑300MPa，升压方式为振动式升压，烧结温度为1400℃‑1500℃，保温时间为20min‑60min，冷却后得到氮化硅陶瓷。由此，通过调整原料中氮化硅粉体的粒径并配合使用振动式升压的方式，促使第二氮化硅粉体填充到第一氮化硅粉体颗粒之间的间隙，单纯通过颗粒重排实现了氮化硅陶瓷的致密化，从而降低了烧结所需的温度和压力，缩短了烧结所需的时间，大大降低了氮化硅陶瓷的制备成本。
主权项：1.一种制备氮化硅陶瓷的方法，其特征在于，包括：1提供原料，所述原料包括第一氮化硅粉体、第二氮化硅粉体、烧结助剂和分散剂，所述第一氮化硅粉体和所述第二氮化硅粉体的体积平均粒径Dv50的比例为5-100:1；2将所述原料混合后进行球磨，然后进行干燥，得到待烧料；3将所述待烧料进行烧结，烧结压力为25MPa-300MPa，升压方式为振动式升压，烧结温度为1400℃-1500℃，保温时间为20min-60min，冷却后得到氮化硅陶瓷。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 清华大学 氮化硅陶瓷及其制备方法
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