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申请/专利权人：英诺赛科(苏州)半导体有限公司
申请日：2022-09-16
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118160098A
主分类号：H01L29/423
分类号：H01L29/423;H01L29/778;H01L21/336
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.07#公开
摘要：一种氮化物基半导体器件，包括第一氮化物基半导体层，第二氮化物基半导体层，栅极，欧姆电极，第一场板和第二场板。第二氮化物基半导体层设置在第一氮化物基半导体层上。栅极设置在第二氮化物基半导体层上方。欧姆电极设置在第二氮化物基半导体层上方。第一场板设置在第二氮化物基半导体层上方并位于栅极和欧姆电极之间。第二场板设置在第一场板上方并与第一场板垂直重叠。第二场板具有至少一个向下延伸以与第一场板的至少一个连接区接触的部分，并且第一场板的隔离区域被电介质包裹。
主权项：1.一种氮化物基半导体器件，包括：第一氮化物基半导体层；第二氮化物基半导体层，其设置在所述第一氮化物基半导体层上并具有比所述第一氮化物基半导体层的带隙大的带隙；栅极，其设置在所述第二氮化物基半导体层上；欧姆电极，其设置在所述第二氮化物基半导体层上；第一场板，其设置在所述第二氮化物基半导体层上方并且位于所述栅极和所述欧姆电极之间；以及第二场板，其设置在所述第一场板上方并与所述第一场板垂直重叠，其中所述第二场板具有至少一个向下延伸以与所述第一场板的至少一个连接区域接触的部分，并且所述第一场板的隔离区域被电介质包裹。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英诺赛科(苏州)半导体有限公司 氮化物基半导体器件及其制造方法
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