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半导体封装方法及半导体封装结构 

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申请/专利权人:矽磐微电子(重庆)有限公司

摘要:本申请提供了一种半导体封装方法及半导体封装结构,通过切割塑封层,以在所述塑封层中切割出至少一条沟槽,接着通过形成在所述沟槽中的沟槽连线使得至少一个半导体芯片的第一表面与至少另一个半导体芯片的第二表面电性连接,得到双面互联产品。在本申请中,通过切割的方式在塑封层中形成沟槽并在所述沟槽中形成沟槽连线,极大地提高了加工效率,可以高效地实现半导体芯片之间的互连。进一步的,由于形成的是一条长的沟槽,其可以给后续工艺提供工艺空间,从而便于后续工艺的执行,提高了工艺的可靠性,进而提高了所形成的半导体封装结构的质量与可靠性,并且工艺限制小,便于加工又能提升加工效率。

主权项:1.一种半导体封装方法,其特征在于,所述半导体封装方法包括:提供第一载板,在所述第一载板上粘贴塑封层,所述塑封层中塑封有多个半导体芯片并且所述塑封层的第一表面暴露出所述半导体芯片的第一表面;切割所述塑封层,以在所述塑封层中切割出至少一条沟槽;在所述塑封层的第一表面形成第一再布线结构以及在所述沟槽中形成沟槽连线,所述第一再布线结构与所述半导体芯片的第一表面电性连接,所述沟槽连线与至少一个所述半导体芯片的第一表面电性连接;形成第一介电层,所述第一介电层覆盖所述沟槽连线和所述第一再布线结构并暴露出所述第一再布线结构的部分;将所述第一介电层粘贴至第二载板并暴露出所述塑封层的第二表面;暴露出所述沟槽连线以及所述半导体芯片的第二表面;在所述塑封层的第二表面形成第二再布线结构,所述第二再布线结构与所述半导体芯片的第二表面以及所述沟槽连线电性连接,以使得至少一个所述半导体芯片的第一表面与至少另一个所述半导体芯片的第二表面电性连接;以及,形成第二介电层,所述第二介电层覆盖所述第二再布线结构。

全文数据:

权利要求:

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