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申请/专利权人：北京一径科技有限公司
摘要：本公开提供了半导体装置的制造方法和半导体装置。所述半导体装置的制造方法包括：在用于批量生产的晶圆上形成功能层；在所述功能层之上形成具有多个牺牲层区域的牺牲层，所述多个牺牲层区域包括位于所述晶圆的圆心处的中心区域和围绕所述中心区域的至少一个环形区域，并且所述多个牺牲层区域的厚度彼此不同；对所述晶圆执行扩散工艺，以在所述功能层和所述牺牲层中掺入掺杂剂，其中，所述多个牺牲层区域的厚度被配置为使得：在执行所述扩散工艺之后，所述功能层中的所述掺杂剂的扩散深度基本一致；以及去除所述牺牲层。
主权项：1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在用于批量生产的晶圆上形成功能层；在所述功能层之上形成具有多个牺牲层区域的牺牲层，所述多个牺牲层区域包括位于所述晶圆的圆心处的中心区域和围绕所述中心区域的至少一个环形区域，并且所述多个牺牲层区域的厚度彼此不同；对所述晶圆执行扩散工艺，以在所述功能层和所述牺牲层中掺入掺杂剂，其中，所述多个牺牲层区域的厚度被配置为使得：在执行所述扩散工艺之后，所述功能层中的所述掺杂剂的扩散深度基本一致；以及去除所述牺牲层。
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权利要求：
百度查询： 北京一径科技有限公司 半导体装置的制造方法和半导体装置
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