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半导体装置及半导体装置的制造方法 

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申请/专利权人:铠侠股份有限公司

摘要:本发明提供半导体装置及半导体装置的制造方法,抑制半导体芯片或键合引线从密封树脂露出。半导体装置具备:支承构件;配设有第1键合焊盘的第1半导体芯片;配设于支承构件与第1半导体芯片之间且配设有第2键合焊盘及第1绝缘膜的第2半导体芯片;将支承构件、第1键合焊盘及第2键合焊盘连接的键合引线;和至少将第1半导体芯片、第2半导体芯片及键合引线密封的密封树脂,第2半导体芯片具有与支承构件相对的第1表面和第1表面的相反侧的第2表面,第2表面包括:配设有第2键合焊盘及第1绝缘膜的第1键合区域;和第1层叠区域,成为形成得比第1绝缘膜的表面低的第1低位表面,且在第1低位表面的至少一部分配设有第1半导体芯片。

主权项:1.一种半导体装置,具备:支承构件,其具有外部端子;第1半导体芯片,其配设有第1键合焊盘;第2半导体芯片,其配设于所述支承构件与所述第1半导体芯片之间,且配设有第2键合焊盘和第1绝缘膜;键合引线,其将所述支承构件、所述第1键合焊盘及所述第2键合焊盘连接;以及密封树脂,其至少将所述第1半导体芯片、所述第2半导体芯片及所述键合引线密封,所述第2半导体芯片具有与所述支承构件相对的第1表面和所述第1表面的相反侧的第2表面,所述第2表面包括第1键合区域和第1层叠区域,在所述第1键合区域配设有所述第2键合焊盘和所述第1绝缘膜,所述第1层叠区域成为形成得比所述第1绝缘膜的表面低的第1低位表面,并且在所述第1低位表面的至少一部分配设有所述第1半导体芯片。

全文数据:

权利要求:

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