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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日：2024-02-22
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118192006A
主分类号：G02B6/13
分类号：G02B6/13;G02B6/132;G02B6/136;G02B6/122;G02B6/12
优先权：["20230222 US 63/486,275","20230320 US 63/491,129","20230623 US 18/340,685"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本申请的实施例提供了光学器件和制造方法，制造方法形成光学器件的第一有源层。在形成光学器件的第一有源层之后，在光学器件的第一有源层上方制造光学器件的第二有源层，其中，形成光学器件的第二有源层以产生具有晶体材料的光学器件。本申请的实施例还涉及制造光学器件的方法。
主权项：1.一种制造光学器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成第一光学组件的第一有源层；以及在所述形成所述第一有源层之后，用晶体半导体材料制造第二光学组件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 制造光学器件的方法
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