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申请/专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日：2024-02-05
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118198102A
主分类号：H01L29/06
分类号：H01L29/06
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本申请提供一种半导体器件，包括衬底、半导体外延层、第一掺杂去以及第二掺杂区。其中，半导体外延层包括有源区，围绕有源区外的边缘终端区；边缘终端区包括围绕有源区外的过渡区和围绕过渡区之外的终端区；第一掺杂区设置在过渡区内，且从过渡区表面向衬底延伸；第二掺杂区设置在第一掺杂区靠近衬底的一侧，第一掺杂区的横向宽度大于第二掺杂区的横向宽度，第一掺杂区的掺杂浓度大于第二掺杂区的掺杂浓度。本申请通过在过渡区设置低掺杂浓度的第二掺杂区，从而达到分散过渡区电场，并提升半导体器件的边缘终端区的反向耐压与雪崩耐量的效果。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；半导体外延层，设置在所述衬底上，所述衬底和所述半导体外延层均具有第一导电类型，所述半导体外延层包括：有源区，围绕所述有源区外的边缘终端区；所述边缘终端区包括：围绕所述有源区外的过渡区和围绕所述过渡区之外的终端区；第一掺杂区，设置在所述过渡区内，且从所述过渡区表面向所述衬底延伸；第二掺杂区，设置在所述第一掺杂区靠近所述衬底的一侧，所述第一掺杂区的横向宽度大于所述第二掺杂区的横向宽度，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区均具有第二导电类型，所述第一掺杂区的掺杂浓度大于所述第二掺杂区的掺杂浓度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖南三安半导体有限责任公司 半导体器件
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