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申请/专利权人：希力微电子(深圳)股份有限公司
申请日：2024-04-03
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231449A
主分类号：H01L29/06
分类号：H01L29/06;H01L29/08;H01L29/78
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明提供了一种变掺杂锥形超结结构和具有其的半导体器件，其中变掺杂锥形超结结构包括源区和漏区，源区和漏区之间设置有隔离柱；隔离柱的一侧设置有P型掺杂区，与P型掺杂区相对的一侧设置有N型掺杂区；N型掺杂区包括沿纵向方向排列的多个变掺杂区，纵向方向为源区和漏区的连线方向。本发明通过在N型掺杂区和P型掺杂区之间设置隔离柱，防止电场线由N型掺杂区延伸到P型掺杂区。降低了横跨N型掺杂区和P型掺杂区的碰撞电离积分。将N型掺杂区设置为纵向变掺杂的结构，改善纵向的电场分布，使得锥形超结结构在相同的掺杂浓度下，具有更大的击穿电压和更小的比导通电阻。
主权项：1.一种变掺杂锥形超结结构，其特征在于，包括源区和漏区，所述源区和所述漏区之间设置有隔离柱；所述隔离柱的一侧设置有P型掺杂区，与所述P型掺杂区相对的一侧设置有N型掺杂区；所述N型掺杂区包括沿纵向方向排列的多个变掺杂区，所述纵向方向为所述源区和所述漏区的连线方向。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 希力微电子(深圳)股份有限公司 一种变掺杂锥形超结结构和具有其的半导体器件
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