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申请/专利权人：国家纳米科学中心;中国科学院包头稀土研发中心
申请日：2020-05-25
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN113725073B
主分类号：H01L21/04
分类号：H01L21/04;H01L29/786
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2021.12.17#实质审查的生效;2021.11.30#公开
摘要：本发明实施例涉及晶体管技术领域，公开了氮掺杂石墨烯场效应晶体管的制造方法。本发明实施例提供的氮掺杂石墨烯场效应晶体管的制造方法，先将待处理石墨烯场效应晶体管浸入含氮溶液中，通过激光辐照含氮溶液中的待处理石墨烯场效应晶体管的暴露沟道，以得到氮掺杂石墨烯场效应晶体管。可见，本发明实施例将通过使用激光辐照含氮溶液中的待处理石墨烯场效应晶体管的暴露沟道的方式来制造氮掺杂石墨烯场效应晶体管，制造性能表现较好，解决了难以较好地进行掺杂操作的技术问题；同时，由于不需要进行高温加热，可以避免高温热处理对石墨烯FET中的金属电极产生破坏；并且，激光辐照处才会发生氮掺杂操作，可以精确地控制掺杂位置。
主权项：1.一种氮掺杂石墨烯场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括：将存在暴露沟道的待处理石墨烯场效应晶体管浸入含氮溶液中；通过激光辐照所述含氮溶液中的所述待处理石墨烯场效应晶体管的暴露沟道，以得到氮掺杂石墨烯场效应晶体管；所述激光为飞秒激光。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 国家纳米科学中心;中国科学院包头稀土研发中心 氮掺杂石墨烯场效应晶体管的制造方法
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