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申请/专利权人：西安因诺航空科技有限公司
申请日：2023-10-08
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN220983879U
主分类号：G06F13/40
分类号：G06F13/40;H03K19/0175
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权
摘要：本实用新型涉及一种增强驱动的串口切换电路，包括：PMOS管Q5、PMOS管Q6、稳压二极管D12、稳压二极管D13以及三极管Q3。本申请提供的上述方案，当设备供电后，在外部电源的正负极接反时，PMOS管Q5的G和S之间电压差为正，此时，PMOS管Q5不导通，从而保护后级电路；当电压超过设计的阈值后，且当电压过大击穿三极管Q3的基极和稳压二极管D13时，三极管Q3导通，此时，PMOS管Q6的G极产生电压；当PMOS管Q6的G极产生电压与供电电压的差值在预设范围时，PMOS管Q6不导通，从而保护后级电路。该增强驱动的串口切换电路设计了防反接电路和防过压电路，有效提高了安全性。
主权项：1.一种增强驱动的串口切换电路，其特征在于，包括：PMOS管Q5、PMOS管Q6、稳压二极管D12、稳压二极管D13以及三极管Q3；所述PMOS管Q5的D极与外部电源的正极连接，所述PMOS管Q5的S极与所述稳压二极管D12的正极连接，所述稳压二极管D12的负极与所述PMOS管Q5的G极连接；所述PMOS管Q5的S极与所述三极管Q3的集电极连接，所述三极管Q3的基极与所述稳压二极管D13的负极连接，所述稳压二极管D13的正极接地，所述三极管Q3的发射极与所述PMOS管Q6的G极连接；所述PMOS管Q5的S极与所述PMOS管Q6的S极连接，所述PMOS管Q6的D极与VCC连接；其中，当设备供电时，在外部电源的正负极接反时，所述PMOS管Q5的G和S之间电压差为正，所述PMOS管Q5不导通；当设备电压超过阈值后，所述稳压二极管D13击穿，所述三极管Q3导通，所述PMOS管Q6的G极产生电压；当所述PMOS管Q6的G极产生电压与供电电压的差值在预设范围时，所述PMOS管Q6不导通。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安因诺航空科技有限公司 增强驱动的串口切换电路
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