申请/专利权人：武汉电信器件有限公司;武汉光迅科技股份有限公司

申请日：2022-01-04

公开（公告）日：2024-05-14

公开（公告）号：CN114362119B

主分类号：H02H9/04

分类号：H02H9/04;H02H9/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.05.14#授权;2022.05.03#实质审查的生效;2022.04.15#公开

摘要：本发明涉及光通信技术领域，提供了一种APD保护电路结构。其中在APD的旁路电路上设置RC旁通电路，其中，电阻R串联在所述APD的驱动电源供电线路上，电容C并联在所述电阻R与驱动电源连接的一端，并且，电容C的另一端接地。本发明对所述旁路电容处于限流电阻和高压产生芯片或者高压产生电路之间。其一端接于高压电路，另一端接高压电路地网络，用于高压启动瞬间充电。在RC充电常数内，使APD阴极达到雪崩电压点，快速释放掉累积的静态载流子。

主权项：1.一种APD保护电路结构，其特征在于，包括：在APD的旁路电路上设置RC旁通电路，其中，电阻R串联在所述APD的驱动电源供电线路上，电容C并联在所述电阻R与驱动电源连接的一端，并且，电容C的另一端接地；所述电阻R的最大值取决于负载在最大光功率状态下的输出信号质量，具体的：光网络灵敏度响应水平为-26dBm，表明此时的光功率P=0.0025mW；因灵敏度附近，APD的特性决定此时增益M=10，光电转换效率η=0.6，控制整个RC网路电压下降0.2V以内，确保APD的灵敏度特性，因此，I*R＜0.2，I=P*M*η，进而得出R＜13.33K；当APD接收到的光电流为5dBm时，即对应此时的光功率为3.1623mW；因大光附近APD的特性决定此时增益M=1，光电转换效率为0.2，控制整个RC网络下降大于6V，则I*R＞6，I=P*M*η，得出R＞9.5K；因此，9.5K＜R＜13.33K；引起雪崩的最小电压称为雪崩电压Vst；如果反向高压超过特定值，会使雪崩噪声迅速变大，所述特定值电压称为击穿电压Vbr，结构包括：在雪崩电压Vst和击穿电压Vbr之间选一个工作电压Vop；所述的电容C充电公式Vt=Vs+Ve*exp-tRC，其中，Vs为电容C上的初始电压值，Ve为电容C最终电压值，t是充电时间；对于APD电路来说，上电后电容C开始充电，开始充电时候电容C的初始电压Vs=0V；经过时间t1，电容电压达到Vst，经过时间t2，电容电压达到Vop，为了使静态载流子充分释放，t2-t1的时间大于渡越时间；若电容ESR=10mΩ，并且，APD击穿电压Vbr=30V，Vop=0.9*Vbr，Vst=0.7Vbr，根据27=21+27*exp-tRC则得出旁路C最小为1.33nf；其中，Vt=27V，Vs=21V，Ve=27V。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉电信器件有限公司;武汉光迅科技股份有限公司 一种APD保护电路结构

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD