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申请/专利权人：昆明物理研究所
申请日：2024-03-01
公开（公告）日：2024-06-04
公开（公告）号：CN118136726A
主分类号：H01L31/18
分类号：H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/107
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.21#实质审查的生效;2024.06.04#公开
摘要：本发明公开了一种碲镉汞APD钝化层、制备方法及其应用，包括：基于碲锌镉衬底的液相外延碲镉汞材料，对其采用溴甲醇溶液和乳酸水溶液进行湿化学腐蚀，随后在表面上沉积生长碲化镉钝化层，再进行闭管饱和汞压热退火在碲镉汞外延材料表面形成高组分过渡层，接着在闭管退火后的碲镉汞芯片表面沉积生长碲化镉薄膜并进行真空热处理，得到所需浓度的p型碲镉汞材料。本发明通过封管退火在碲镉汞表面形成的高组分扩散层可以显著减小器件的表面漏电和产生复合电流，封管退火之后沉积的CdTe不仅有利于稳定调节碲镉汞材料的电学参数，还能改善钝化膜层的质量，减少由于刻蚀速率不均匀带来的损伤，最终应用于高性能APD碲镉汞红外探测器的制备。
主权项：1.一种碲镉汞APD钝化层的制备方法，其特征在于，包括下列步骤：S1，提供一片碲镉汞芯片，所述碲镉汞芯片由碲锌镉衬底层和碲镉汞层组成，其中碲锌镉层厚度为700-900μm，碲镉汞厚度为7-10μm；S2，对S1中的碲镉汞芯片进行溴甲醇湿化学腐蚀，随后浸泡在乳酸水溶液中；S3，在S2中的碲镉汞芯片表面上采用磁控溅射的方式沉积CdTe钝化膜，所述的CdTe钝化层厚度为50-400nm；S4，对S3中得到的钝化膜进行饱和汞压闭管热退火处理；S5，在S4中完成闭管热处理的碲镉汞材料表面沉积生长CdTe薄膜，所述CdTe薄膜厚度为70-300nm；S6，对S5中完成CdTe生长的碲镉汞芯片进行真空热退火处理，所述热退火条件为250-300℃，时间为1-5h。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 昆明物理研究所 一种碲镉汞APD钝化层、制备方法及其应用
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