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申请/专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日：2023-10-16
公开（公告）日：2024-05-28
公开（公告）号：CN118099263A
主分类号：H01L31/107
分类号：H01L31/107;H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/0232;H01L21/78
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.14#实质审查的生效;2024.05.28#公开
摘要：本发明公开了一种窄波长增透倒装APD芯片及其制备方法，APD芯片包括InP衬底，所述InP衬底的正面一侧设有外延功能层；InP衬底的背面设有滤光片。本发明通过采用在InP衬底的背面设置滤光片，在InP衬底的正面设置P型电极和N型电极，实现对波长为1535nm±4或者1550±4nm激光的强吸收，从而在芯片级形成对特定窄波长的增透，进而使得在激光雷达制造过程中，可以节省空间，提高系统集成化程度，使得激光雷达的制备更加小型化以及紧凑化。
主权项：1.一种窄波长增透倒装APD芯片，包括InP衬底9，其特征在于，所述InP衬底9的正面一侧设有外延功能层，外延功能层上设有P型金属层7和N型金属层8；InP衬底9的背面设有滤光片10。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江光特科技有限公司 一种窄波长增透倒装APD芯片及其制备方法
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