龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：华引芯(武汉)科技有限公司;华引芯(张家港)半导体有限公司
申请日：2024-05-22
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231536A
主分类号：H01L33/00
分类号：H01L33/00;H01L33/06;H01L33/46
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明提供了一种高亮度倒装车规LED芯片及其制备方法，制备方法的步骤包括在衬底上依次生长出缓冲层、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层；在P型半导体层的表面蒸镀电流扩展层，并进行MESA台阶面的刻蚀；控制刻蚀倾斜角度，刻蚀至N型半导体层表面停止，以增加所述多量子阱层的面积；对晶圆进行划裂和固晶，芯片裂片固晶后通过镀DBR包覆芯片侧壁。在本申请中，通过在芯片段刻蚀时不刻蚀N型半导体层，增加N型半导体层的面积，进而在刻蚀MESA台阶面时，通过控制刻蚀倾斜角度，保留更大面积的多量子阱层，以增加芯片的有效出光面积，提升芯片的亮度。
主权项：1.一种高亮度倒装车规LED芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在衬底上依次生长出缓冲层、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层；在所述P型半导体层的表面蒸镀电流扩展层，并进行MESA台阶面的刻蚀；控制刻蚀倾斜角度，刻蚀至所述N型半导体层表面停止，以增加所述多量子阱层的面积；在所述电流扩展层表面制作电流阻挡层；在所述电流阻挡层上制作银镜膜层和银镜保护层；制作PN金属焊盘，并对晶圆进行划裂和固晶；芯片裂片固晶后通过镀DBR膜层包覆芯片侧壁；其中，控制刻蚀倾斜角度，刻蚀至所述N型半导体层表面停止，以增加所述多量子阱层的面积的步骤包括：在所述电流扩展层涂布光刻胶，并进行烘烤；对晶圆正面光刻胶涂布的区域进行曝光和显影后制备得到MESA光刻图形；对中间区域的所述电流扩展层使用ITO蚀刻液进行腐蚀；进行MESA台阶面的刻蚀，并控制倾斜角度和深度，刻蚀后去除光刻胶；其中，倾斜角度为40°至50°，刻蚀深度1.0至1.2μm，以使制备得到的高亮度倒装车规LED芯片中，所述多量子阱层面积与所述衬底面积之比高于0.9。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华引芯(武汉)科技有限公司;华引芯(张家港)半导体有限公司 一种高亮度倒装车规芯片及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号