申请/专利权人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司

申请日：2024-03-13

公开（公告）日：2024-06-21

公开（公告）号：CN117878212B

主分类号：H01L33/38

分类号：H01L33/38;H01L33/40;H01L33/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.21#授权;2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明属于LED倒装芯片技术领域，具体涉及一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法，所述衬底上生长有AlN缓冲层，所述AlN缓冲层上生长有n型半导体层，所述n型半导体层上生长有量子阱层，所述量子阱层上生长有p型半导体层，所述p型半导体层刻蚀至n型半导体层露出n型半导体台面，所述n型半导体台面上设置有n型接触电极，所述p型半导体层上设置有p型接触电极，该n型接触电极和或p型接触电极为复合电极，所述n型复合电极和p型复合电极均包括电极扩大阻挡层和反射电极，所述反射电极蒸镀在电极扩大阻挡层上。本发明阻挡了Al的迁移，防止LED倒装芯片在大电流、长时间下工作时形成漏电通道。

主权项：1.一种深紫外LED倒装芯片的制备方法，其特征在于，包括下列步骤：S1、在衬底101表面由下往上依次制备AlN缓冲层102、n型半导体层103、量子阱层104、p型半导体层105，形成外延片结构；S2、在S1结构基础上，在p型半导体层105上采用光刻胶定义n型半导体台面，通过干法刻蚀的方法，刻蚀至n型半导体层103，将n型半导体台面露出来；S3、在p型半导体层105和n型半导体台面表面分别制备接触电极，所述接触电极采用复合电极，所述复合电极包括n型复合电极或p型复合电极中的一种或两种，所述n型复合电极和p型复合电极均包括电极扩大阻挡层和反射电极，所述反射电极蒸镀在电极扩大阻挡层上；所述n型复合电极的制备方法为：S3A、在S2结构的基础上，采用光刻胶定义n型复合电极中的n型电极扩大阻挡层201，在n型半导体台面上蒸镀n型电极扩大阻挡层201；所述S3A中n型电极扩大阻挡层201采用金属Cr或Ti中的一种或两种，厚度为1nm-20nm，镀膜速率为S3B、在S3A结构的基础上，采用光刻胶定义n型复合电极中的n反射电极202，在n型电极扩大阻挡层201上蒸镀n反射电极202；所述S3B中n反射电极202至少包含1种反射金属；所述n反射电极202采用AlTiAu、AlTiAuTi、AlNiAuTi、AlCrPtAu或AlCrPtAuTi反射金属体系；S3C、n型复合电极在氮气氛围下，进行高温退火形成n型欧姆接触；所述S3A和S3B中n型电极扩大阻挡层201形成在n型半导体台面的上表面，所述n反射电极202形成在n型电极扩大阻挡层201的上表面；在平行于n型半导体台面的方向上，所述n型电极扩大阻挡层201比n反射电极202宽度大1μm-15μm；所述p型复合电极的制备方法为：S3a、采用光刻胶定义p型复合电极中的p型电极扩大阻挡层301，在p型半导体层105上蒸镀p型电极扩大阻挡层301；S3b、在S3a结构的基础上，p型电极扩大阻挡层301与外延片结构形成p型欧姆接触；S3c、在S3b结构的基础上，采用光刻胶定义p型复合电极中的p反射电极302，在p型电极扩大阻挡层301上蒸镀p反射电极302，所述p反射电极302至少包含1种反射金属；所述S3a、S3b和S3c中p型电极扩大阻挡层301采用Ni、NiAu、NiAuNiAu或NiRh金属体系，所述p反射电极302采用Al、AlTi、AgTi、AlTiAu或AgTiAu反射金属体系；所述S3a、S3b和S3c中p型电极扩大阻挡层301形成在p型半导体层105的上表面，所述p反射电极302形成在p型电极扩大阻挡层301的上表面；在平行于p型半导体层105的方向上，所述p型电极扩大阻挡层301比p反射电极302宽度大1μm-15μm；S4、依次进行钝化层、导电通孔和焊盘电极的制备，从而制备得到深紫外LED倒装芯片。

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