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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日：2020-12-31
公开（公告）日：2024-05-24
公开（公告）号：CN114689225B
主分类号：G01L1/22
分类号：G01L1/22;G01L9/04;G01L25/00;G01L27/00;B81B7/02
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.24#授权;2022.07.19#实质审查的生效;2022.07.01#公开
摘要：本发明涉及压阻传感器技术领域，具体涉及一种绝压式MEMS压阻传感器及其自测试方法。该传感器中，金属导线模组设置在保护层远离薄膜层的一侧；第一磁场发生装置和第二磁场发生装置均设置在压阻传感模组周围；信号处理电路的信号输入端连接压阻传感模组的信号输出端；信号处理电路分别供电连接金属导线模组和压阻传感模组。本发明提供了绝压式MEMS压阻传感器能的压力自测试功能，省去了搭建片外测试设备、反复拆卸测试的过程，提高了绝压式MEMS压阻传感器的检测效率。
主权项：1.一种绝压式MEMS压阻传感器，其特征在于，包括：金属导线模组、压阻传感模组、第一磁场发生装置、第二磁场发生装置和信号处理电路；所述压阻传感模组包括：叠放设置的保护层、薄膜层、硅衬底层和玻璃层；所述硅衬底层中设置有空腔结构；所述薄膜层靠近所述保护层的一侧设有压阻条；所述保护层远离所述薄膜层的一侧设有金属电极；所述金属电极与所述压阻条电连接；所述金属导线模组设置在所述保护层远离所述薄膜层的一侧；所述金属导线模组包括：第一条形金属电极、第二条形金属电极和至少二根金属导线；所述至少二根金属导线均匀地并联在所述第一条形金属电极和所述第二条形金属电极之间；所述信号处理电路供电连接所述第一条形金属电极；所述第二条形金属电极接地；所述第一磁场发生装置和所述第二磁场发生装置均设置在所述玻璃层远离所述硅衬底层的一侧；其中，所述第一磁场发生装置和所述第二磁场发生装置在靠近所述玻璃层一侧的磁极的极性相反，以在所述压阻传感模组周围形成弧形的静态磁场；所述信号处理电路的信号输入端连接所述压阻传感模组的信号输出端；所述信号处理电路分别供电连接所述金属导线模组和所述压阻传感模组。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种绝压式MEMS压阻传感器及其自测试方法
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