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申请/专利权人：西安智多晶微电子有限公司
申请日：2024-04-28
公开（公告）日：2024-05-28
公开（公告）号：CN118093465A
主分类号：G06F13/16
分类号：G06F13/16
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.14#实质审查的生效;2024.05.28#公开
摘要：本发明提供了一种DDRPHY中数据字对齐方法，包括生成每个字节通道的标志数据有效的VALID信号；将所有字节通道对应的VALID信号作与操作产生VALID_AND信号，以及作或操作产生VALID_OR信号；根据VALID信号、VALID_AND信号和VALID_OR信号的不同情况，将字节通道传输的数据作对齐处理。本发明通过简单逻辑解决了DDR布线时，不同字节通道之间的走线的延时差异，导致的数据采样不对齐的错误风险，有效的提高了系统稳定性。同时本发明为DDR布线提供了更大的布线长度裕量，使得不同DQS的字节通道之间最大延时差异1个时钟，方便硬件工程师很容易实现PCB布线。
主权项：1.一种DDRPHY中数据字对齐方法，其特征在于，包括：S100，针对DIMM中的每个DRAM对应的字节通道，生成一个标志数据有效的VALID信号；S200，将所有字节通道对应的VALID信号作与操作产生VALID_AND信号；S300，对所有字节通道对应的VALID信号作或操作产生VALID_OR信号；S400，根据每个字节通道对应的VALID信号、VALID_AND信号和VALID_OR信号的不同情况，将字节通道传输的数据作对齐处理以使所有字节通道传输的数据对齐。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安智多晶微电子有限公司 一种DDR PHY中数据字对齐方法
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