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申请/专利权人：潍坊先进光电芯片研究院;中国科学院半导体研究所
摘要：本发明公开了一种双刷形槽半导体激光器，包括半导体激光器主体结构，半导体激光器主体结构包括由下至上依次设置的N型衬底、N型限制层、N型波导层、有源区、P型波导层、P型限制层和P型接触层，还包括双刷形槽，双刷形槽位于半导体激光器主体结构设有P型接触层的一面，双刷形槽设置在出光方向中心轴两侧，双刷形槽包括沿出光方向依次设置的双宽槽、双锥形槽和双梳状槽，双梳状槽包括并排设置的两个窄长槽，两个窄长槽远离出光方向中心轴的两侧分别设有与其连通的多个光栅狭槽。本发明要提供的双刷形槽半导体激光器，能够在提高激光输出功率的同时，大幅改善半导体激光器光束质量，进而实现高功率高亮度的激光输出，具备良好的综合性能。
主权项：1.一种双刷形槽半导体激光器，包括半导体激光器主体结构，半导体激光器主体结构包括由下至上依次设置的N型衬底（1）、N型限制层（2）、N型波导层（3）、有源区（4）、P型波导层（5）、P型限制层（6）和P型接触层（7），其特征在于：还包括双刷形槽（8），双刷形槽（8）位于半导体激光器主体结构设有P型接触层（7）的一面，双刷形槽（8）设置在出光方向中心轴两侧，双刷形槽（8）包括沿出光方向依次设置的双宽槽（9）、双锥形槽（10）和双梳状槽（11）。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 潍坊先进光电芯片研究院 中国科学院半导体研究所 一种双刷形槽半导体激光器
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