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申请/专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日：2022-06-24
公开（公告）日：2024-05-28
公开（公告）号：CN115011922B
主分类号：C23C14/06
分类号：C23C14/06;C23C14/18;C23C14/35;C23C14/58;C23C16/40;C23C16/455;C23C16/56
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.28#授权;2022.09.23#实质审查的生效;2022.09.06#公开
摘要：本发明公开了一种石墨烯薄膜及由原位非晶碳转为石墨烯薄膜的方法。所述方法包括：采用物理气相沉积技术制备石墨烯薄膜前驱体；其中，所述石墨烯薄膜前驱体包括依次形成于基体表面的原位非晶碳层、镍催化层及氧化铝封孔层；以及，在真空条件下，对所述石墨烯薄膜前驱体进行退火处理，制得石墨烯薄膜。本发明通过原子层沉积的氧化铝封孔层覆盖镍催化层的晶界空隙，控制C的扩散，使C原子在基体上重构原位得到石墨烯，所制备的石墨烯薄膜质量高，均匀性好，同时可以实现大面积制备。
主权项：1.一种由原位非晶碳转为石墨烯薄膜的方法，其特征在于包括：采用物理气相沉积技术、及ALD技术制备石墨烯薄膜前驱体；其中，所述石墨烯薄膜前驱体包括依次形成于基体表面的原位非晶碳层、镍催化层及氧化铝封孔层；所述氧化铝封孔层是采用ALD技术制备的，所述氧化铝封孔层至少用于覆盖镍催化层的晶界空隙和控制C的扩散；所述氧化铝封孔层的厚度为0.5~3.0nm；所述镍催化层的厚度为600~800nm；所述原位非晶碳层的厚度为0.5~3.0nm；以及，在真空度为1~5×10-3Pa的条件下，使所述石墨烯薄膜前驱体于700~800℃退火处理20~60min，之后对所获产品进行刻蚀处理，制得石墨烯薄膜；其中，所述石墨烯薄膜由三层石墨烯组成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种石墨烯薄膜及由原位非晶碳转为石墨烯薄膜的方法
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