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申请/专利权人：上海林众电子科技有限公司
摘要：本发明提供一种功率芯片终结区的制备及功率芯片的制备方法，终结区的制备方法包括以下步骤：提供一N型衬底；于所述N型衬底上形成一P+接地环；在所述N型衬底对应终结区位置对应形成一场氧化层；在未形成所述场氧化层位置依次形成P型环，所述P型环之间保持间隔设置。其技术方案的有益效果在于，P+接地环决定边角的第一个电场强度,可藉由第一个P型环P+接地环来调整的电场强度,可减少器件的对于满足崩溃电压增加场版结构带来的成本上升问题。
主权项：1.一种功率芯片终结区的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一N型衬底；于所述N型衬底上形成一P+接地环；在所述N型衬底对应终结区位置对应形成一场氧化层；在所述N型衬底上依次形成P型环，所述P型环在未形成所述场氧化层位置所述P型环之间保持间隔设置；所述终结区与元胞区之间的第一个P+接地环，所述第一个P+接地环在所述第一个在终结区的边角区与平边区的交汇处；所述P型环包括表面线性P型环，所述表面线性P型环的制备方法包括：提供一第一光罩，所述第一光罩对应所述P+接地环及所述P型环的形成位置开设有通槽,植入第一预定剂量的P型离子，以在所述N型衬底上分别形成所述P+接地环及所述表面线性P型环。
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