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申请/专利权人：西南交通大学
摘要：本发明公开了一种具有光学调控性能的忆阻器的制备方法，具体为：将质量比为0.1g∶1g的铁酸铋粉末和碳化钛粉末进行水浴反应，得到反应后产物，制备成粉末，然后将pvdf加入吡咯烷酮溶液中，制备成胶体，把粉末加入制备好的胶体中进行搅拌，搅拌均匀后将其旋涂在下电极基底；旋涂后，将旋涂好的下电极基底片取出、烘干；在旋涂薄膜的基底上盖上掩膜版，利用磁控溅射制备顶电极，最终形成一个具有三明治结构的忆阻器件。本发明制备过程简单可行、成本低，制成的器件结构简单、性能优异、具有明显的忆阻效应，并且加光后性能明显提升，为开发新型多功能电子器件奠定了良好基础。
主权项：1.一种具有光学调控性能的忆阻器的制备方法，其具体作法是：a、制备混合溶液以乙二醇甲醚为溶剂，将1g的BiFeO3粉末中其中，在磁力搅拌机使其充分溶解；之后将适量的Ti3C2加到已充分溶解的上述材料中，将其至于反应釜中进行水热反应，在200℃反应24h。b、离心将反应液体离心操作，用去离子水对反应的生成物进行2～3次清洗，之后将所得的离心粉末在冷干机中进行干燥处理。c、制备旋涂将容器中的基底及基底生长的硫化铜薄膜取出、烘干。在100g的吡咯烷酮溶液中加入10g的PVDF粉末，在磁力搅拌机上搅拌10～12h，使其变为透明液体，在小烧杯中取准备好的混合液体20g，加入上述制备好的粉末0.1g，在磁力搅拌机上搅拌3h。d、旋涂薄膜以FTO的导电层作为下电极，将制备好的混合旋涂液涂于清洗好的FTO衬底上，设置转速以低速2000rmin的速度旋转30s，在以高速5000rmin的速度旋转30s在衬底上进行旋涂。e、烘干将旋涂后的衬底放进干燥箱烘干，除去表面多余水分。f、制备上电极采用磁控溅射的方法将金属银Ag用圆形掩膜板沉积在旋涂好的薄膜表面作为上电极。
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百度查询： 西南交通大学 一种具有光学调控性能的忆阻器的制备方法
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