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申请/专利权人：深圳市星颖达实业有限公司
申请日：2023-11-03
公开（公告）日：2024-06-04
公开（公告）号：CN221081595U
主分类号：H05B45/36
分类号：H05B45/36;H05B45/38;H05B45/325;H02M1/44;H02M3/156
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.04#授权
摘要：一种低EMI的BOOST电路，包括：第一电感，其一端与电源输入端连接；整流抑制管单元，其具有第一输入端和第一输出端，所述第一输入端与所述第一电感的另一端连接，所述第一输出端与电源输出端连接；第一RC单元，与所述整流抑制管单元并联；极性电容，连接在所述第一输出端与地线之间；滤波单元，所述滤波单元连接在所述第一输出端与所述地线之间；MOS管，其漏极与所述第一输入端连接，源极与所述地线连接，漏极与所述地线之间连接有第二RC单元；升压驱动单元，用于驱动所述MOS管工作。本实用新型通过在现有BOOST电路的基础上，通过增加第一RC单元和滤波单元，降低了BOOST电路带来的EMI影响。
主权项：1.一种低EMI的BOOST电路，其特征在于，包括：第一电感，其一端与电源输入端连接；整流抑制管单元，其具有第一输入端和第一输出端，所述第一输入端与所述第一电感的另一端连接，所述第一输出端与电源输出端连接；第一RC单元，与所述整流抑制管单元并联；极性电容，连接在所述第一输出端与地线之间，作为储能电容；滤波单元，由多个不同容值的电容组成，所述滤波单元连接在所述第一输出端与所述地线之间；MOS管，其漏极与所述第一输入端连接，源极与所述地线连接，漏极与所述地线之间连接有第二RC单元；升压驱动单元，与所述MOS管的栅极连接，用于驱动所述MOS管工作。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市星颖达实业有限公司 一种低EMI的BOOST电路
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