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申请/专利权人：星科金朋私人有限公司
申请日：2022-03-30
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231387A
主分类号：H01L23/552
分类号：H01L23/552;H01L23/31;H01L25/16;H01L21/50;H01L21/56
优先权：["20210504 US 17/307437"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本公开涉及使用多个槽线来引导激光而在EMI屏蔽层中形成槽的方法和半导体器件。半导体器件具有在半导体封装上的屏蔽层。多个槽线限定用于在屏蔽层中形成槽的位置。通过利用由用于读取槽线的扫描仪控制的激光沿着槽线切割，在屏蔽层中形成槽。槽线包括左边界槽线和右边界槽线。可以通过以下步骤而在屏蔽层中切割槽：沿着槽线执行边缘切割，并且执行回剥以在屏蔽层中形成槽。替代地，可以通过以下步骤而在屏蔽层中切割槽：沿着槽线在第一方向上执行第一切割，并且沿着槽线在与第一方向相反的第二方向上执行第二切割以在屏蔽层中形成槽。
主权项：1.一种半导体器件，包括：半导体封装；和形成在所述半导体封装上的屏蔽层，其中所述屏蔽层上的多个槽线限定位置以沿着所述槽线在所述位置处在所述屏蔽层中形成槽。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 星科金朋私人有限公司 使用多个槽线来引导激光而在EMI屏蔽层中形成槽的方法和半导体器件
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