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一种EMI屏蔽的晶圆级芯片的封装结构 

申请/专利权人:江苏凯嘉电子科技有限公司

申请日:2024-03-26

公开(公告)日:2024-06-21

公开(公告)号:CN118231388A

主分类号:H01L23/552

分类号:H01L23/552;H01L23/29;H01L23/31

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.21#公开

摘要:本发明涉及芯片封装技术领域,具体为一种EMI屏蔽的晶圆级芯片的封装结构,包括:晶圆底板,晶圆底板内设置有晶圆芯片,晶圆芯片正面设置有锡球,晶圆芯片的背面设置有绝缘膜,绝缘膜的背面贴合有氧化硅层,氧化硅层的背面设置有屏蔽层;加强层包括筋网层和加固层加固层的背面贴合有加厚层,加厚层与屏蔽层的正面贴合;有益效果为:通过在晶圆底板的背面设置有绝缘膜,绝缘膜背面设置有氧化硅层,氧化硅层背面设置有屏蔽层,屏蔽层对整个晶圆形成覆盖屏蔽,减少封装中的杂散和辐射,屏蔽层由金属电镀制成,通过控制电镀厚度,可在屏蔽层背面形成凹陷部,以提高后续塑封时的封装强度和稳定性。

主权项:1.一种EMI屏蔽的晶圆级芯片的封装结构,其特征在于:所述EMI屏蔽的晶圆级芯片的封装结构包括:晶圆底板1,所述晶圆底板1内设置有晶圆芯片2,所述晶圆芯片2正面设置有锡球11,所述晶圆芯片2的背面设置有绝缘膜3,所述绝缘膜3的背面贴合有氧化硅层4,所述氧化硅层4的背面设置有屏蔽层5,且屏蔽层5与氧化硅层4之间设置有加强层;所述加强层包括筋网层6和加固层7,且筋网层6和加固层7均贴合氧化硅层4的背面,所述加固层7的背面贴合有加厚层8,所述加厚层8与屏蔽层5的正面贴合。

全文数据:

权利要求:

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