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申请/专利权人：上海新傲芯翼科技有限公司
申请日：2024-03-26
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263095A
主分类号：H01L21/02
分类号：H01L21/02
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明提供了一种晶圆边缘处理方法，包括：提供第一晶圆和第二晶圆；对第一晶圆和第二晶圆执行第一边缘倒角研磨工艺，第一边缘倒角研磨工艺的研磨角度为θ1，第一边缘倒角研磨工艺的研磨进给深度为d1，θ145°，d1200μm；对第一晶圆和或第二晶圆执行氧化工艺，以在第一晶圆和或第二晶圆的表面形成氧化层；将第一晶圆和第二晶圆形成键合晶圆，键合晶圆包括衬底层、顶层硅层及绝缘埋氧层；对顶层硅层边缘的未键合区域执行第二边缘倒角研磨工艺，研磨后保留部分厚度的未键合区域，第二边缘倒角研磨工艺的研磨角度为θ2，第二边缘倒角研磨工艺的研磨进给深度为d2，θ225°，1000μm+d1≤d2≤1200μm+d1；本发明能够提高顶层硅层的面积利用率。
主权项：1.一种晶圆边缘处理方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆和第二晶圆；对所述第一晶圆和所述第二晶圆执行第一边缘倒角研磨工艺，所述第一边缘倒角研磨工艺的研磨角度为θ1，所述第一边缘倒角研磨工艺的研磨进给深度为d1，θ145°，d1200μm；对所述第一晶圆和或所述第二晶圆执行氧化工艺，以在所述第一晶圆和或所述第二晶圆的表面形成氧化层；将所述第一晶圆和所述第二晶圆键合形成键合晶圆，所述键合晶圆包括衬底层、顶层硅层及绝缘埋氧层，在键合后，所述第一晶圆作为所述衬底层，所述第二晶圆作为所述顶层硅层，所述第一晶圆和所述第二晶圆之间的氧化层作为所述绝缘埋氧层；对所述顶层硅层边缘的未键合区域执行第二边缘倒角研磨工艺，研磨后保留部分厚度的所述未键合区域，所述第二边缘倒角研磨工艺的研磨角度为θ2，所述第二边缘倒角研磨工艺的研磨进给深度为d2，θ225°，1000μm+d1≤d2≤1200μm+d1；执行第一选择性刻蚀工艺，刻蚀去除保留的所述未键合区域以暴露部分所述绝缘埋氧层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海新傲芯翼科技有限公司 晶圆边缘处理方法
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