申请/专利权人:细美事有限公司
申请日:2023-09-28
公开(公告)日:2024-06-07
公开(公告)号:CN118156113A
主分类号:H01J37/32
分类号:H01J37/32;H01L21/67
优先权:["20221205 KR 10-2022-0167847"]
专利状态码:在审-公开
法律状态:2024.06.07#公开
摘要:本发明公开一种基板处理装置清洗方法、基板处理装置及基板处理方法,公开一种可以通过有效地去除等离子体处理空间内部的金属污染物而提升接合品质的技术。根据本发明的一实施例,提供一种用于清洗对暴露有金属部的基板进行等离子体处理的等离子体处理腔室内部的处理空间的基板处理装置清洗方法。基板处理装置清洗方法包括:将第一气体供应到等离子体处理空间而在处理空间的内壁形成涂层的涂层形成步骤;以及将与所述第一气体不同的第二气体供应到所述处理空间而将所述涂层去除的涂层去除步骤。此时,去除的所述涂层包含通过针对基板的等离子体处理而产生的金属污染物。
主权项:1.一种基板处理装置清洗方法,用于清洗对暴露有金属部的基板进行等离子体处理的等离子体处理腔室内部的处理空间,其中,所述基板处理装置清洗方法包括:涂层形成步骤,将第一气体供应到所述处理空间而在所述等离子体处理腔室内壁形成涂层;以及涂层去除步骤,将与所述第一气体不同的第二气体供应到所述处理空间而将所述涂层去除,在所述涂层去除步骤中去除的所述涂层包含对所述基板进行等离子体处理而产生的金属污染物。
全文数据:
权利要求:
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