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申请/专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日：2024-03-26
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118215292A
主分类号：H10B41/30
分类号：H10B41/30;H01L21/311;H01L21/3213
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本发明提供了一种NORFlash储存区刻蚀方法及制造方法，属于半导体领域。该NORFlash储存区刻蚀方法包括提供一NORFlash储存区，所述NORFlash储存区至少包括：衬底，位于衬底表面的栅氧，位于栅氧化层表面的浮栅，位于浮栅表面的介质层，位于介质层表面的控制栅，以及位于控制栅表面的先进图形薄膜；在对所述控制栅、介质层和浮栅进行刻蚀的任一步骤中，沿所述NORFlash储存区的横向方向对先进图形薄膜进行刻蚀，去除所述控制栅两侧的肩部，以在所述控制栅两侧形成切角。本发明通过在控制栅的两侧肩部形成切角，使得控制栅的两侧肩部没有先进图形薄膜作为阻挡层，为NORFlash储存区后续填充提高工艺窗口，避免在栅极间形成空洞，从而能够避免导致器件失效，提高了产品的良率。
主权项：1.一种NORFlash储存区刻蚀方法，其特征在于，包括：提供一NORFlash储存区，所述NORFlash储存区至少包括：衬底，位于衬底表面的栅氧，位于栅氧表面的浮栅，位于浮栅表面的介质层，位于介质层表面的控制栅，以及位于控制栅表面的先进图形薄膜；在对所述控制栅、介质层和浮栅进行刻蚀的任一步骤中，沿所述NORFlash储存区的横向方向对先进图形薄膜进行刻蚀，去除所述控制栅两侧的肩部，以在所述控制栅两侧形成切角。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力微电子有限公司 NOR Flash储存区刻蚀方法及制造方法
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