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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日：2020-01-09
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN113093476B
主分类号：G03F7/20
分类号：G03F7/20;G03F1/44;G03F1/70
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.18#授权;2021.07.27#实质审查的生效;2021.07.09#公开
摘要：一种光刻工艺的优化方法和光刻方法，包括：提供测试版图和测试光源，所述测试版图中包括若干测试主图形、以及包围所述若干所述测试主图形的若干辅助图形；获取光源掩膜优化模型；根据所述光源掩膜优化模型对所述测试版图与所述测试光源进行预设次数的优化处理，在每次所述优化处理后获取光源掩膜优化数据；根据预设次数的所述优化处理所获取的光源掩膜优化数据，获取优化版图与优化光源。在本发明的技术方案中，通过对所述测试版图与测试光源的共同优化处理，再以优化光源对优化版图进行模拟曝光后，能够有效降低光斑对曝光后的曝光主图形所造成的影响，进而提升所述曝光主图形与后续目标主图形之间的图像对比度。
主权项：1.一种光刻工艺的优化方法，其特征在于，包括：提供测试版图和测试光源，所述测试版图中包括若干测试主图形、以及包围所述若干所述测试主图形的若干辅助图形；获取光源掩膜优化模型，所述光源掩膜优化模型SMOtgt与所述测试版图以及测试光源之间的关系为：SMOtgt＝FSx，y，MX，Y，D；其中，Sx，y为所述测试光源的相关参数，MX，Y为所述测试版图中的测试主图形的相关参数，D为所述测试版图中的辅助图形的密度；根据所述光源掩膜优化模型对所述测试版图与所述测试光源进行预设次数的优化处理，在每次所述优化处理后获取光源掩膜优化数据；根据预设次数的所述优化处理所获取的光源掩膜优化数据，获取优化版图与优化光源，以降低光斑对曝光后的曝光主图形所造成的影响。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光刻工艺的优化方法和光刻方法
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