申请/专利权人：日产化学株式会社

申请日：2022-10-27

公开（公告）日：2024-06-07

公开（公告）号：CN118159910A

主分类号：G03F7/11

分类号：G03F7/11;G03F7/20;G03F7/26;G03F7/42;H01L21/027

优先权：["20211028 JP 2021-176582"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.06.07#公开

摘要：本发明提供一种用于形成抗蚀剂下层膜的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其在半导体基板等的加工工序中，不仅能够利用以往的干式蚀刻的方法，还能够利用使用稀氢氟酸、缓冲氢氟酸和碱性药液等药液的湿式蚀刻的方法进行剥离，特别是对碱性药液碱性药液显示优异的可溶性；另外，提供一种用于形成保存稳定性优异且干式蚀刻工序中的残渣少的抗蚀剂下层膜的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含水解性硅烷混合物的水解缩合物，所述水解性硅烷混合物包含下述式1所示的水解性硅烷或下述式2所示的水解性硅烷，所述含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物用于形成在碱性药液中显示可溶性的含硅抗蚀剂下层膜。R1aR2bSiR34‑a+b1式1中，R1为键合于硅原子的基团，且表示包含琥珀酸酐骨架的有机基团。R4aR5bSiR64‑a+b2式2中，R4为键合于硅原子的基团，且表示下述式2‑1所示的一价基团。

主权项：1.一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，包含水解性硅烷混合物的水解缩合物，所述水解性硅烷混合物包含选自下述式1所示的水解性硅烷和下述式2所示的水解性硅烷中的至少任一种，所述含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物用于形成在碱性药液中显示可溶性的含硅抗蚀剂下层膜，R1aR2bSiR34-a+b1式1中，R1为键合于硅原子的基团，且表示包含琥珀酸酐骨架的有机基团，R2为键合于硅原子的基团，且相互独立地表示被取代或未被取代的烷基、被取代或未被取代的卤代烷基、或者被取代或未被取代的烷氧基烷基，或者相互独立地表示包含环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基、酰胺基、烷氧基、磺酰基或氰基的有机基团、或者它们的组合，R3为键合于硅原子的基团或原子，且相互独立地表示烷氧基、芳烷氧基、酰氧基或卤素原子，a表示1，b表示0～2的整数，4-a+b表示1～3的整数，R4aR5bSiR64-a+b2式2中，R4为键合于硅原子的基团，且表示下述式2-1所示的1价基团： 式2-1中，R201～R202相互独立地表示氢原子、包含被取代或未被取代的烷基的有机基团，R203表示被取代或未被取代的亚烷基，*表示与硅原子键合的结合键；R5为键合于硅原子的基团，且相互独立地表示被取代或未被取代的烷基、被取代或未被取代的卤代烷基、或者被取代或未被取代的烷氧基烷基，或者相互独立地表示包含环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基、酰胺基、烷氧基、磺酰基或氰基的有机基团、或者它们的组合；R6为键合于硅原子的基团或原子，且相互独立地表示烷氧基、芳烷氧基、酰氧基或卤素原子；a表示1，b表示0～2的整数，4-a+b表示1～3的整数。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 日产化学株式会社 含添加剂含硅抗蚀剂下层膜形成组合物

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD